MOSFET Infineon, canale Tipo P 150 V, 290 mΩ, 13 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
218-3097
Codice costruttore:
IRF6215STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

290mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale P singolo serie IRF Infineon. Questo MOSFET utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. È adatto per applicazioni con correnti elevate.

Commutazione rapida

Canale P.

Temperatura d'esercizio: 175 °C

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