MOSFET Infineon, canale Tipo P 150 V, 290 mΩ, 13 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF6215STRLPBF
- Codice RS:
- 218-3098
- Codice costruttore:
- IRF6215STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 15 unità*
19,08 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 + | 1,272 € | 19,08 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-3098
- Codice costruttore:
- IRF6215STRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 290mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 290mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale P singolo serie IRF Infineon. Questo MOSFET utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. È adatto per applicazioni con correnti elevate.
Commutazione rapida
Canale P.
Temperatura d'esercizio: 175 °C
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