MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 206 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IPW60R045P7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-6023
Codice costruttore:
IPW60R045P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

206A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

201W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

90nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.21mm

Larghezza

21.1 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a supergiunzione Infineon 600V CoolMOS™ P7 è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate RG integrato

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

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