MOSFET onsemi, canale N 120 V, 6 mΩ Miglioramento, 93 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS006N12MCT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6722
Codice costruttore:
NTMFS006N12MCT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

93A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

DFN

Serie

NTMFS006N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.3mm

Altezza

6.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET MV a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando Advanced Power Trench che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver

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