MOSFET onsemi, canale Tipo N 120 V, 6 mΩ Miglioramento, 93 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS006N12MCT1G

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

17,93 €

(IVA esclusa)

21,87 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 250 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,793 €17,93 €
100 - 2401,546 €15,46 €
250 +1,34 €13,40 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6722
Codice costruttore:
NTMFS006N12MCT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

93A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

DFN

Serie

NTMFS006N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.3mm

Larghezza

1.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET MV a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando Advanced Power Trench che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver

Link consigliati