MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PQFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

11.310,00 €

(IVA esclusa)

13.800,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +3,77 €11.310,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
221-6735
Codice costruttore:
NTMT110N65S3HF
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PQFN

Serie

NTMT110N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

62nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Altezza

8.1mm

Larghezza

1.1 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è dotato di famiglia MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Carica di gate ultra bassa

Bassa capacità di uscita effettiva di 522 pF

Testato con effetto valanga al 100%

Link consigliati