MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 3 Ω Miglioramento, 292 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie 2N7002EQ-7-F
- Codice RS:
- 222-2694
- Codice costruttore:
- 2N7002EQ-7-F
- Costruttore:
- DiodesZetex
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2694
- Codice costruttore:
- 2N7002EQ-7-F
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 292mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.7W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 292mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.7W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È qualificato per AEC-Q101, supportato da un PPAP.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa tensione di soglia del gate
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
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