MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 20 V, 700 mΩ Miglioramento, 500 mA, 3 Pin, SOT-523, Superficie
- Codice RS:
- 222-2855
- Codice costruttore:
- DMP2900UT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,049 € | 147,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2855
- Codice costruttore:
- DMP2900UT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 500mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | SOT-523 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 700mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.32W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 6 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 0.85 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 1.7mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 500mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package SOT-523 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.32W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 6 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 0.85 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 1.7mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa tensione di soglia del gate
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
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