MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 20 V, 700 mΩ Miglioramento, 500 mA, 3 Pin, SOT-523, Superficie DMP2900UT-7
- Codice RS:
- 222-2856
- Codice costruttore:
- DMP2900UT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2856
- Codice costruttore:
- DMP2900UT-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 500mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-523 | |
| Serie | DMP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 700mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.32W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 1.7mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 500mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-523 | ||
Serie DMP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.32W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 1.7mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa tensione di soglia del gate
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
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