MOSFET DiodesZetex, canale N, 700 mΩ, 800 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 669-7679
Codice costruttore:: ZXMN10A07FTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 700 mΩ, 800 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

140 In consegna il giorno lavorativo successivo per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzino in Italia)

120 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,417 €

(IVA esclusa)

0,509 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
10 - 20	0,417 €	4,17 €
30 - 140	0,30 €	3,00 €
150 - 740	0,225 €	2,25 €
750 - 1490	0,20 €	2,00 €
1500 +	0,192 €	1,92 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 669-7679
Codice costruttore:: ZXMN10A07FTA
Costruttore:: DiodesZetex

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	800 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	700 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	806 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	2,9 nC a 10 V
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.05mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 669-7679
Codice costruttore:: ZXMN10A07FTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 700 mΩ, 800 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

Specifiche

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

Link consigliati