MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.02 Ω, 21.2 A 40 V, PowerDI3333-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2875
Codice costruttore:
DMT4015LDV-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerDI3333-8

Serie

DMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.7V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

Gate con protezione ESD

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