MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.02 Ω, 21.2 A 40 V, PowerDI3333-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
222-2874
Codice costruttore:
DMT4015LDV-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

DMT

Tipo di package

PowerDI3333-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.7V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

Gate con protezione ESD

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