MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.02 Ω, 7.7 A 30 V, UDFN-2020, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMT3020LFDBQ-7

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2871
Codice costruttore:
DMT3020LFDBQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

UDFN-2020

Serie

DMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex Dual in modalità potenziata a canale N è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È qualificato per AEC-Q101, supportato da un PPAP.

Bassa tensione di soglia del gate

Bassa resistenza in stato attivo

Completamente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati

Recently viewed