MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.02 Ω, 7.7 A 30 V, UDFN-2020, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
222-2869
Codice costruttore:
DMT3020LFDBQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

DMT

Tipo di package

UDFN-2020

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex Dual in modalità potenziata a canale N è progettato per soddisfare i severi requisiti delle applicazioni automobilistiche. È qualificato per AEC-Q101, supportato da un PPAP.

Bassa tensione di soglia del gate

Bassa resistenza in stato attivo

Completamente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS

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