2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.03 Ω 30 V, UDFN-2020, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

366,00 €

(IVA esclusa)

447,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,122 €366,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
246-6868
Codice costruttore:
DMT3020UFDB-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

UDFN-2020

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.86W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore U-DFN2020-6 e il profilo da 0,6 mm lo rende ideale per le applicazioni a basso profilo. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drain a sorgente è di 30 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±12 V Ha un ingombro su circuito stampato di 4 mm^2 Offre una bassa tensione soglia di gate Fornisce un gate con protezione ESD

Link consigliati