MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.019 Ω, 26.5 A 40 V, PowerDI3333-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-2873
Codice costruttore:
DMT4014LDV-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

DMT

Tipo di package

PowerDI3333-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.019Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa RDS(ON) - assicura perdite in stato attivo ridotte

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

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