MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.019 Ω, 26.5 A 40 V, PowerDI3333-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

616,00 €

(IVA esclusa)

752,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +0,308 €616,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-2872
Codice costruttore:
DMT4014LDV-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerDI3333-8

Serie

DMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.019Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa RDS(ON) - assicura perdite in stato attivo ridotte

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

Link consigliati