MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 171 A, 3 Pin, TO-247, Superficie AUIRFP4568

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4612
Codice costruttore:
AUIRFP4568
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

171A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

517W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

151nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

20.7 mm

Lunghezza

15.87mm

Altezza

5.31mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia planare

MOSFET a canale doppio N a bassa resistenza in stato attivo

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