MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 150 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 171 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante

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Codice RS:
124-9020
Codice costruttore:
IRFP4568PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

171A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247AC

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

684W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

151nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.87mm

Larghezza

5.31 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.7mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 171A, dissipazione di potenza massima 517W - IRFP4568PBF


Questo MOSFET a canale N è progettato per garantire un'elevata efficienza e prestazioni costanti in vari circuiti elettronici. Le sue robuste caratteristiche soddisfano le applicazioni di gestione dell'alimentazione e di commutazione. Il pacchetto TO-247AC facilita l'efficace gestione termica e semplifica l'installazione in configurazioni a foro passante.

Caratteristiche e vantaggi


• Le caratteristiche di recupero del diodo di corpo migliorano l'affidabilità

• La bassa resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento

• La capacità di dissipazione di potenza massima di 517 W consente di soddisfare applicazioni ad alta richiesta.

• L'ampia gamma di temperature operative, da -55°C a +175°C, garantisce la funzionalità in diversi ambienti.

• Le eccellenti tensioni di soglia del gate ottimizzano le prestazioni durante le azioni di commutazione.

• La configurazione a singolo transistor semplifica la progettazione dei circuiti per una maggiore facilità d'uso

Applicazioni


• Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza

• Gruppi di continuità per un backup affidabile

• Circuiti di commutazione di potenza ad alta velocità

• Adatto a commutazioni rigide e ad alta frequenza

Qual è la corrente di drenaggio massima continua che questo dispositivo può supportare?


Il dispositivo supporta una corrente di drenaggio continua massima di 171 A in condizioni ottimali.

Come gestisce il calore durante il funzionamento?


Con una dissipazione di potenza massima di 517 W, il dispositivo gestisce efficacemente il calore generato durante il funzionamento.

Quali sono i requisiti tipici del costo del cancello?


La carica tipica del gate è di circa 151 nC con una tensione gate-source di 10 V, garantendo prestazioni di commutazione efficienti.

Può resistere a variazioni di temperatura estreme?


Sì, funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, il che lo rende adatto a varie condizioni ambientali.

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon


MOSFET per controllo di motori


Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.

MOSFET raddrizzatore sincrono


La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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