MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Codice RS:: 165-5716
Codice costruttore:: IRF7842TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1900,00 €

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Codice RS:: 165-5716
Codice costruttore:: IRF7842TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	33nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Tensione diretta Vf	1V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.5mm
	Lunghezza	5mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Tensione diretta Vf 1V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 4mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.5mm
	Lunghezza 5mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon della serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 2,5 W - IRF7842TRPBF

Questo MOSFET offre prestazioni elevate in varie applicazioni elettroniche. Con specifiche che includono una corrente di drenaggio continua di 18 A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 40 V, migliora l'efficienza energetica dei dispositivi elettronici. Progettato per la tecnologia a montaggio superficiale, questo dispositivo garantisce una lunga durata ed è adatto ai professionisti dell'elettronica e dell'automazione.

Caratteristiche e vantaggi

• La bassa Rds(on) a 4,5 V migliora l'efficienza

• L'elevata gestione della corrente ottimizza l'erogazione di potenza

• La carica minima del gate riduce le perdite di commutazione

• Classificato per le valanghe per migliorare l'affidabilità

• La configurazione a canale N supporta prestazioni efficaci nelle applicazioni di controllo

Applicazioni

• Utilizzato nei circuiti MOSFET sincroni per l'alimentazione dei processori per notebook

• Agisce come raddrizzatore sincrono secondario nei convertitori DC-DC isolati

• Funzioni nei progetti di convertitori CC-CC non isolati

Qual è la temperatura massima di funzionamento di questo dispositivo?

Funziona in modo efficiente fino a +150°C, garantendo l'affidabilità in ambienti ad alta temperatura.

Come gestisce la corrente questo componente durante il funzionamento?

Il dispositivo supporta una corrente di drenaggio continua di 18A, adatta a varie applicazioni.

Può essere utilizzato nei circuiti ad alta tensione?

La tensione massima di drain-source è di 40 V e offre flessibilità per le applicazioni ad alta tensione.

Quali sono le caratteristiche di resistenza termica?

La resistenza termica dalla giunzione all'ambiente è tipicamente di circa 50-55°C/W, facilitando un'efficace dissipazione del calore.

Questo MOSFET è compatibile con la tecnologia a montaggio superficiale?

Sì, è disponibile in un pacchetto SOIC progettato specificamente per il montaggio in superficie, per facilitare l'integrazione nei progetti di circuiti.