MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-5716
Codice costruttore:
IRF7842TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon della serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 2,5 W - IRF7842TRPBF


Questo MOSFET offre prestazioni elevate in varie applicazioni elettroniche. Con specifiche che includono una corrente di drenaggio continua di 18 A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 40 V, migliora l'efficienza energetica dei dispositivi elettronici. Progettato per la tecnologia a montaggio superficiale, questo dispositivo garantisce una lunga durata ed è adatto ai professionisti dell'elettronica e dell'automazione.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa Rds(on) a 4,5 V migliora l'efficienza

• L'elevata gestione della corrente ottimizza l'erogazione di potenza

• La carica minima del gate riduce le perdite di commutazione

• Classificato per le valanghe per migliorare l'affidabilità

• La configurazione a canale N supporta prestazioni efficaci nelle applicazioni di controllo

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti MOSFET sincroni per l'alimentazione dei processori per notebook

• Agisce come raddrizzatore sincrono secondario nei convertitori DC-DC isolati

• Funzioni nei progetti di convertitori CC-CC non isolati

Qual è la temperatura massima di funzionamento di questo dispositivo?


Funziona in modo efficiente fino a +150°C, garantendo l'affidabilità in ambienti ad alta temperatura.

Come gestisce la corrente questo componente durante il funzionamento?


Il dispositivo supporta una corrente di drenaggio continua di 18A, adatta a varie applicazioni.

Può essere utilizzato nei circuiti ad alta tensione?


La tensione massima di drain-source è di 40 V e offre flessibilità per le applicazioni ad alta tensione.

Quali sono le caratteristiche di resistenza termica?


La resistenza termica dalla giunzione all'ambiente è tipicamente di circa 50-55°C/W, facilitando un'efficace dissipazione del calore.

Questo MOSFET è compatibile con la tecnologia a montaggio superficiale?


Sì, è disponibile in un pacchetto SOIC progettato specificamente per il montaggio in superficie, per facilitare l'integrazione nei progetti di circuiti.

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