MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 150 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 171 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante IRFP4568PBF
- Codice RS:
- 688-7018
- Codice Distrelec:
- 302-84-053
- Codice costruttore:
- IRFP4568PBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 688-7018
- Codice Distrelec:
- 302-84-053
- Codice costruttore:
- IRFP4568PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 171A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 151nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 684W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Altezza | 20.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.31mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 171A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 151nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 684W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Altezza 20.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.31mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 171A, dissipazione di potenza massima 517W - IRFP4568PBF
Questo MOSFET a canale N è progettato per garantire un'elevata efficienza e prestazioni costanti in vari circuiti elettronici. Le sue robuste caratteristiche soddisfano le applicazioni di gestione dell'alimentazione e di commutazione. Il pacchetto TO-247AC facilita l'efficace gestione termica e semplifica l'installazione in configurazioni a foro passante.
Caratteristiche e vantaggi
• Le caratteristiche di recupero del diodo di corpo migliorano l'affidabilità
• La bassa resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento
• La capacità di dissipazione di potenza massima di 517 W consente di soddisfare applicazioni ad alta richiesta.
• L'ampia gamma di temperature operative, da -55°C a +175°C, garantisce la funzionalità in diversi ambienti.
• Le eccellenti tensioni di soglia del gate ottimizzano le prestazioni durante le azioni di commutazione.
• La configurazione a singolo transistor semplifica la progettazione dei circuiti per una maggiore facilità d'uso
Applicazioni
• Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza
• Gruppi di continuità per un backup affidabile
• Circuiti di commutazione di potenza ad alta velocità
• Adatto a commutazioni rigide e ad alta frequenza
Qual è la corrente di drenaggio massima continua che questo dispositivo può supportare?
Il dispositivo supporta una corrente di drenaggio continua massima di 171 A in condizioni ottimali.
Come gestisce il calore durante il funzionamento?
Con una dissipazione di potenza massima di 517 W, il dispositivo gestisce efficacemente il calore generato durante il funzionamento.
Quali sono i requisiti tipici del costo del cancello?
La carica tipica del gate è di circa 151 nC con una tensione gate-source di 10 V, garantendo prestazioni di commutazione efficienti.
Può resistere a variazioni di temperatura estreme?
Sì, funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, il che lo rende adatto a varie condizioni ambientali.
MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon
MOSFET per controllo di motori
Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.
MOSFET raddrizzatore sincrono
La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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