MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 150 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 171 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante IRFP4568PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
688-7018
Codice Distrelec:
302-84-053
Codice costruttore:
IRFP4568PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

171A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-247AC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

151nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

684W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.31 mm

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.7mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30284053

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 171A, dissipazione di potenza massima 517W - IRFP4568PBF


Questo MOSFET a canale N è progettato per garantire un'elevata efficienza e prestazioni costanti in vari circuiti elettronici. Le sue robuste caratteristiche soddisfano le applicazioni di gestione dell'alimentazione e di commutazione. Il pacchetto TO-247AC facilita l'efficace gestione termica e semplifica l'installazione in configurazioni a foro passante.

Caratteristiche e vantaggi


• Le caratteristiche di recupero del diodo di corpo migliorano l'affidabilità

• La bassa resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento

• La capacità di dissipazione di potenza massima di 517 W consente di soddisfare applicazioni ad alta richiesta.

• L'ampia gamma di temperature operative, da -55°C a +175°C, garantisce la funzionalità in diversi ambienti.

• Le eccellenti tensioni di soglia del gate ottimizzano le prestazioni durante le azioni di commutazione.

• La configurazione a singolo transistor semplifica la progettazione dei circuiti per una maggiore facilità d'uso

Applicazioni


• Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza

• Gruppi di continuità per un backup affidabile

• Circuiti di commutazione di potenza ad alta velocità

• Adatto a commutazioni rigide e ad alta frequenza

Qual è la corrente di drenaggio massima continua che questo dispositivo può supportare?


Il dispositivo supporta una corrente di drenaggio continua massima di 171 A in condizioni ottimali.

Come gestisce il calore durante il funzionamento?


Con una dissipazione di potenza massima di 517 W, il dispositivo gestisce efficacemente il calore generato durante il funzionamento.

Quali sono i requisiti tipici del costo del cancello?


La carica tipica del gate è di circa 151 nC con una tensione gate-source di 10 V, garantendo prestazioni di commutazione efficienti.

Può resistere a variazioni di temperatura estreme?


Sì, funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, il che lo rende adatto a varie condizioni ambientali.

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon


MOSFET per controllo di motori


Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.

MOSFET raddrizzatore sincrono


La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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