MOSFET Infineon, canale N, 5,9 mΩ, 18 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-3899
Codice costruttore:: IRF7842TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 5,9 mΩ, 18 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 40	1,253 €	12,53 €
50 - 90	1,19 €	11,90 €
100 - 240	1,14 €	11,40 €
250 - 490	1,065 €	10,65 €
500 +	1,002 €	10,02 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 827-3899
Codice costruttore:: IRF7842TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7842TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	5,9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.25V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	33 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale N, 5,9 mΩ, 18 A, SOIC, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon

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