MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.9 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, SOIC, Superficie IRF7842TRPBF
- Codice RS:
- 827-3899
- Codice costruttore:
- IRF7842TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 827-3899
- Codice costruttore:
- IRF7842TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon della serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 2,5 W - IRF7842TRPBF
Questo MOSFET offre prestazioni elevate in varie applicazioni elettroniche. Con specifiche che includono una corrente di drenaggio continua di 18 A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 40 V, migliora l'efficienza energetica dei dispositivi elettronici. Progettato per la tecnologia a montaggio superficiale, questo dispositivo garantisce una lunga durata ed è adatto ai professionisti dell'elettronica e dell'automazione.
Caratteristiche e vantaggi
• La bassa Rds(on) a 4,5 V migliora l'efficienza
• L'elevata gestione della corrente ottimizza l'erogazione di potenza
• La carica minima del gate riduce le perdite di commutazione
• Classificato per le valanghe per migliorare l'affidabilità
• La configurazione a canale N supporta prestazioni efficaci nelle applicazioni di controllo
Applicazioni
• Utilizzato nei circuiti MOSFET sincroni per l'alimentazione dei processori per notebook
• Agisce come raddrizzatore sincrono secondario nei convertitori DC-DC isolati
• Funzioni nei progetti di convertitori CC-CC non isolati
Qual è la temperatura massima di funzionamento di questo dispositivo?
Funziona in modo efficiente fino a +150°C, garantendo l'affidabilità in ambienti ad alta temperatura.
Come gestisce la corrente questo componente durante il funzionamento?
Il dispositivo supporta una corrente di drenaggio continua di 18A, adatta a varie applicazioni.
Può essere utilizzato nei circuiti ad alta tensione?
La tensione massima di drain-source è di 40 V e offre flessibilità per le applicazioni ad alta tensione.
Quali sono le caratteristiche di resistenza termica?
La resistenza termica dalla giunzione all'ambiente è tipicamente di circa 50-55°C/W, facilitando un'efficace dissipazione del calore.
Questo MOSFET è compatibile con la tecnologia a montaggio superficiale?
Sì, è disponibile in un pacchetto SOIC progettato specificamente per il montaggio in superficie, per facilitare l'integrazione nei progetti di circuiti.
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