MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60N10S4L12ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4669
Codice costruttore:
IPD60N10S4L12ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.5mm

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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