MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 99 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R099C7ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

10,49 €

(IVA esclusa)

12,798 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3050 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 85,245 €10,49 €
10 - 184,355 €8,71 €
20 - 484,085 €8,17 €
50 - 983,82 €7,64 €
100 +3,515 €7,03 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4893
Codice costruttore:
IPB60R099C7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

IPB60R

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super-giunzione (SJ) Infineon CoolMOS™ 600V C7 ∼™ Il modello IPL60R185C7 è anche un abbinamento perfetto per caricabatterie ad alta densità di potenza.

Ridotti parametri di perdite di commutazione quali Q G, C oss, E oss

Dati di merito migliori della categoria Q G*R DS(on)

Maggiore frequenza di commutazione

Migliore valore R (on)*A in tutto il mondo

Diodo dal corpo robusto

Link consigliati