MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R099P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4654
Codice costruttore:
IPB60R099P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS™ C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Il modello 600V C7 è la prima tecnologia mai realizzata con RDS(ON)*A inferiore a 1Ohm*mm².

Adatto per la commutazione hard e soft (PFC e LLC ad alte prestazioni), MOSFET dv/dt potenziato con robustezza a 120V/ns

Maggiore efficienza grazie al FOM RDS(ON)*Eoss e RDS(ON)*Qg migliori della categoria

RDS(on) /package migliore della categoria

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