MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 99 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPA60R099P7XKSA1
- Codice RS:
- 222-4874
- Codice costruttore:
- IPA60R099P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 50 unità*
176,70 €
(IVA esclusa)
215,55 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 12 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,534 € | 176,70 € |
| 100 - 200 | 3,251 € | 162,55 € |
| 250 + | 3,075 € | 153,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4874
- Codice costruttore:
- IPA60R099P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 31A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Serie | IPA60R | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 99mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 29W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 31A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Serie IPA60R | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 29W | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IPA60R, tensione massima della sorgente di drenaggio di 1200 V, corrente di drenaggio continua massima di 31 A - IPA60R099P7XKSA1
Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni in modalità di potenziamento a canale N nell'elettronica di potenza. Funziona in un ampio intervallo di temperature e viene fornito in un contenitore TO-220 per il montaggio superficiale, offrendo una soluzione pratica dove è richiesta un'elevata tensione di drenaggio-sorgente e una corrente continua moderata.
Caratteristiche e vantaggi:
• La capacità drain-source di 1200 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 31 A supporta correnti di carico sostanziali
• RDS(on) di 99 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 29 W consente un carico termico prolungato
• Il limite gate-source di 30 V consente robusti margini di azionamento del gate
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C garantisce un'ampia tolleranza alla temperatura
• La corrente di drenaggio continua di 31 A supporta correnti di carico sostanziali
• RDS(on) di 99 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 29 W consente un carico termico prolungato
• Il limite gate-source di 30 V consente robusti margini di azionamento del gate
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C garantisce un'ampia tolleranza alla temperatura
Applicazioni
• Adatto per circuiti di commutazione industriali ad alta tensione
• Ideale per i convertitori di potenza che gestiscono tensioni elevate
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono la commutazione a canale N
• Può essere utilizzato per la progettazione dello stadio di uscita dell'inverter
• Adatto per la valutazione di laboratorio di transistor ad alta tensione
• Ideale per i convertitori di potenza che gestiscono tensioni elevate
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono la commutazione a canale N
• Può essere utilizzato per la progettazione dello stadio di uscita dell'inverter
• Adatto per la valutazione di laboratorio di transistor ad alta tensione
Quale contenitore devo aspettarmi per il montaggio su un dissipatore?
Viene fornito in un contenitore TO-220 adatto per il montaggio su dissipatori e il fissaggio superficiale.
Quali limiti di tensione di gate devo rispettare per un funzionamento affidabile?
La tensione massima ammissibile da gate a sorgente è di 30 V, pertanto le tensioni di azionamento devono rimanere entro questo valore.
In che modo lo stress termico influisce sulla capacità di corrente continua?
La corrente di drenaggio continua massima è di 31 A e deve essere gestita con un raffreddamento adeguato per rimanere entro il limite di dissipazione di potenza di 29 W.
Quali temperature ambientali può tollerare durante il funzionamento?
Il dispositivo può funzionare tra -55 °C e +150 °C, adattandosi a un'ampia gamma di condizioni ambientali e elevate.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPA60R099P7XKSA1
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 99 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPP60R099P7XKSA1
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB60R099P7ATMA1
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R099CPFKSA1