MOSFET Infineon, canale N 600 V, 99 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP60R099P7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2539
Codice costruttore:
IPP60R099P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

900mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.57mm

Larghezza

15.95mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.36mm

Standard automobilistico

No

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 31 A - IPP60R099P7XKSA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione di potenza in gruppi a foro passante. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una notevole capacità di gestione della tensione e della corrente continua, mentre è montato in un contenitore TO-220.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale drain-source di 600 V che consente la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 31 A per un'erogazione di potenza sostenuta
• RDS(on) basso di 99 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 117 W per la gestione termica di carichi pesanti
• Carica gate tipica Qg 45 nC che consente una velocità di commutazione ragionevole
• Limite gate-source 20 V che supporta le tensioni di azionamento comuni

Applicazioni


• Adatto per le fasi di conversione dell'alimentazione sul lato rete
• Ideale per alimentatori di commutazione che richiedono una capacità di 600 V
• Utilizzato con supporti a foro passante dissipati in unità industriali
• Può essere utilizzato per i front-end dell'azionamento del motore ad alta tensione
• Adatto per ruoli di transistor di potenza nei raddrizzatori per telecomunicazioni

Quali estremi termici può tollerare durante il funzionamento?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione di temperatura.

Quanti collegamenti elettrici fornisce il pacchetto?


Il dispositivo viene fornito con tre pin configurati per i tipici collegamenti gate, drain e source MOSFET in un layout a foro passante.

Quale metodo di montaggio richiede per l'assemblaggio del circuito?


Il componente viene fornito in un formato TO-220 destinato al montaggio a foro passante e al fissaggio a un dissipatore esterno se necessario.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?


La tensione massima ammissibile gate-sorgente è di 20 V, pertanto i driver gate devono limitare l'ampiezza entro tale soglia per evitare la sollecitazione del dispositivo.

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