MOSFET Infineon, canale N, 0,099 Ω, 31 A, TO-220, Su foro

Questo MOSFET è un componente di potenza ad alte prestazioni progettato specificamente per applicazioni ad alta tensione. Con una corrente di drenaggio continua massima di 31A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 600V, è alloggiato in un contenitore TO-220, che lo rende adatto al montaggio a foro passante. Le sue specifiche eccezionali lo rendono ideale per progetti elettronici avanzati in vari settori.

• Adatto per l'uso di commutazione sia dura che morbida
• Riduce in modo significativo le perdite di commutazione e di conduzione
• Eccellente diodo di corpo robusto per una commutazione dura
• Elevata protezione ESD superiore a 2kV per prestazioni affidabili
• La configurazione della modalità di potenziamento semplifica la progettazione dei circuiti

• Ideale per gli stadi PFC (correzione del fattore di potenza)
• Utilizzato nella modulazione PWM (Pulse Width Modulation) a commutazione fissa
• Applicabile in stadi di commutazione risonanti per vari tipi di elettronica
• Adatto per adattatori e TV LCD/PDP
• Utilizzato in soluzioni di illuminazione, apparecchiature server e sistemi di telecomunicazione

Il basso valore di RDS(on), pari a 0,099 ohm, riduce al minimo le perdite per conduzione, migliorando l'efficienza della conversione di potenza nelle applicazioni in cui la generazione di calore è un problema.

Funzionando efficacemente tra -55°C e +150°C, garantisce affidabilità e stabilità anche in condizioni estreme, rendendolo adatto a diversi ambienti.

Sì, per le configurazioni in parallelo è generalmente consigliato l'uso di perline di ferrite sul gate o di totem separati per evitare oscillazioni e garantire un funzionamento stabile.