MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 37.9 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 222-4639
- Codice costruttore:
- IPA60R099P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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| 250 + | 2,45 € | 122,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4639
- Codice costruttore:
- IPA60R099P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 37.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 99mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 37.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. La serie Cool MOS™ P6 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. I dispositivi offerti offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso. Le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, più compatte, più leggere e più fredde.
Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt
Perdite estremamente basse dovute a FOM Rdson*Qg e Eoss molto bassi
Robustezza di commutazione molto elevata
Placcatura senza piombo composto di stampo privo di alogeni