MOSFET Infineon, canale N, 0,099 Ω, 37,9 A, TO-220 FP, Su foro

Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. La serie Cool MOS™ P6 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. I dispositivi offerti offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso. Le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, più compatte, più leggere e più fredde.

Maggiore robustezza del MOSFET dv/dt
Perdite estremamente basse dovute a FOM Rdson*Qg e Eoss molto bassi
Robustezza di commutazione molto elevata
Placcatura senza piombo composto di stampo privo di alogeni