Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP60R099C6XKSA1

Codice RS:: 898-6895
Codice costruttore:: IPP60R099C6XKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP60R099C6XKSA1

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Codice RS:: 898-6895
Codice costruttore:: IPP60R099C6XKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	38A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	CoolMOS C6
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	99mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.9V
	Dissipazione di potenza massima Pd	35W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	119nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	16.15mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.65mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 38A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie CoolMOS C6
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.9V
	Dissipazione di potenza massima Pd 35W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 119nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 16.15mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.65mm
	Standard automobilistico No

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