MOSFET Infineon, canale N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPP60R099C7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4700
Codice costruttore:
IPP60R099C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Larghezza

15.95mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.36mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET Infineon, noti anche come transistor MOSFET, sono l'acronimo di 'Metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistor'. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Placcatura senza piombo; Conformità RoHS

Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23

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