MOSFET Infineon, canale N, 99 mΩ, 37,9 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 130-0924
Codice costruttore:: IPP60R099P6XKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 99 mΩ, 37,9 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 130-0924
Codice costruttore:: IPP60R099P6XKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie P6, 37,9A di corrente di scarico continua massima, 278W di dissipazione di potenza massima - IPP60R099P6XKSA1

Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza. Con una corrente di drenaggio continua massima di 37,9A e una tensione di drenaggio-sorgente nominale di 650V, eccelle nei settori dell'automazione e dell'elettronica. La sua configurazione a canale N in modalità enhancement consente efficaci capacità di commutazione, rendendolo un'opzione preferita dai professionisti dell'industria elettrica e meccanica.

Caratteristiche e vantaggi

• Il basso RDS(on) di 99mΩ migliora l'efficienza di commutazione
• Può dissipare fino a 278 W per una maggiore durata
• Funziona bene in presenza di temperature elevate, fino a +150°C
• La protezione ESD superiore a 2kV garantisce un funzionamento affidabile
• Adatto per applicazioni di commutazione hard e soft
• Confezionato in TO-220 per opzioni di montaggio flessibili

Applicazioni

• Utilizzato negli stadi PFC per una conversione di potenza efficiente
• Applicabile negli stadi PWM hard-switching per aumentare le prestazioni
• Ideale per gli stadi di commutazione risonanti in vari prodotti elettronici
• Utilizzato in adattatori e alimentatori per dispositivi elettronici
• Efficace nei sistemi di automazione industriale che richiedono una potenza elevata

Qual è l'intervallo di tensione gate-source adatto per il funzionamento?

L'intervallo di tensione gate-source appropriato per il funzionamento è compreso tra -30V e +30V, per garantire una commutazione sicura ed efficace.

In che modo il basso valore di RDS(on) favorisce l'efficienza energetica?

La bassa resistenza aumenta l'efficienza energetica riducendo le perdite per conduzione, con conseguente diminuzione della generazione di calore durante il funzionamento.

Qual è la capacità di dissipazione di potenza massima durante l'uso?

La capacità massima di dissipazione di energia durante il funzionamento è di 278 W, consentendo prestazioni robuste in condizioni difficili.

C'è qualche considerazione particolare per l'utilizzo di questo componente in configurazioni parallele?

In caso di utilizzo in parallelo, è consigliabile utilizzare perline di ferrite sul gate o totem separati per ottimizzare le prestazioni e ridurre al minimo le oscillazioni.

Quali sono le pratiche di gestione termica da implementare?

Le pratiche di gestione termica efficaci comprendono un adeguato dissipamento del calore e il monitoraggio della temperatura durante il funzionamento per mantenere le prestazioni entro i limiti specificati.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	37,9 A
Tensione massima drain source	650 V
Tipo di package	TO-220
Serie	CoolMOS™ P6
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	99 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	278 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.36mm
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Larghezza	4.57mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	0.9V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	15.95mm