MOSFET Infineon, canale N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 37.9 A, 4 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 168-5936
- Codice costruttore:
- IPP60R099P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 168-5936
- Codice costruttore:
- IPP60R099P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 37.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 99mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 15.95mm | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.57mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 37.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 15.95mm | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.57mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie P6, 37,9A di corrente di scarico continua massima, 278W di dissipazione di potenza massima - IPP60R099P6XKSA1
Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza. Con una corrente di drenaggio continua massima di 37,9A e una tensione di drenaggio-sorgente nominale di 650V, eccelle nei settori dell'automazione e dell'elettronica. La sua configurazione a canale N in modalità enhancement consente efficaci capacità di commutazione, rendendolo un'opzione preferita dai professionisti dell'industria elettrica e meccanica.
Caratteristiche e vantaggi
• Il basso RDS(on) di 99mΩ migliora l'efficienza di commutazione
• Può dissipare fino a 278 W per una maggiore durata
• Funziona bene in presenza di temperature elevate, fino a +150°C
• La protezione ESD superiore a 2kV garantisce un funzionamento affidabile
• Adatto per applicazioni di commutazione hard e soft
• Confezionato in TO-220 per opzioni di montaggio flessibili
Applicazioni
• Utilizzato negli stadi PFC per una conversione di potenza efficiente
• Applicabile negli stadi PWM hard-switching per aumentare le prestazioni
• Ideale per gli stadi di commutazione risonanti in vari prodotti elettronici
• Utilizzato in adattatori e alimentatori per dispositivi elettronici
• Efficace nei sistemi di automazione industriale che richiedono una potenza elevata
Qual è l'intervallo di tensione gate-source adatto per il funzionamento?
L'intervallo di tensione gate-source appropriato per il funzionamento è compreso tra -30V e +30V, per garantire una commutazione sicura ed efficace.
In che modo il basso valore di RDS(on) favorisce l'efficienza energetica?
La bassa resistenza aumenta l'efficienza energetica riducendo le perdite per conduzione, con conseguente diminuzione della generazione di calore durante il funzionamento.
Qual è la capacità di dissipazione di potenza massima durante l'uso?
La capacità massima di dissipazione di energia durante il funzionamento è di 278 W, consentendo prestazioni robuste in condizioni difficili.
C'è qualche considerazione particolare per l'utilizzo di questo componente in configurazioni parallele?
In caso di utilizzo in parallelo, è consigliabile utilizzare perline di ferrite sul gate o totem separati per ottimizzare le prestazioni e ridurre al minimo le oscillazioni.
Quali sono le pratiche di gestione termica da implementare?
Le pratiche di gestione termica efficaci comprendono un adeguato dissipamento del calore e il monitoraggio della temperatura durante il funzionamento per mantenere le prestazioni entro i limiti specificati.
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