MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 37.9 A, 4 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
168-5936
Codice costruttore:
IPP60R099P6XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

37.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS P6

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.95mm

Larghezza

4.57 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie P6, 37,9A di corrente di scarico continua massima, 278W di dissipazione di potenza massima - IPP60R099P6XKSA1


Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza. Con una corrente di drenaggio continua massima di 37,9A e una tensione di drenaggio-sorgente nominale di 650V, eccelle nei settori dell'automazione e dell'elettronica. La sua configurazione a canale N in modalità enhancement consente efficaci capacità di commutazione, rendendolo un'opzione preferita dai professionisti dell'industria elettrica e meccanica.

Caratteristiche e vantaggi


• Il basso RDS(on) di 99mΩ migliora l'efficienza di commutazione

• Può dissipare fino a 278 W per una maggiore durata

• Funziona bene in presenza di temperature elevate, fino a +150°C

• La protezione ESD superiore a 2kV garantisce un funzionamento affidabile

• Adatto per applicazioni di commutazione hard e soft

• Confezionato in TO-220 per opzioni di montaggio flessibili

Applicazioni


• Utilizzato negli stadi PFC per una conversione di potenza efficiente

• Applicabile negli stadi PWM hard-switching per aumentare le prestazioni

• Ideale per gli stadi di commutazione risonanti in vari prodotti elettronici

• Utilizzato in adattatori e alimentatori per dispositivi elettronici

• Efficace nei sistemi di automazione industriale che richiedono una potenza elevata

Qual è l'intervallo di tensione gate-source adatto per il funzionamento?


L'intervallo di tensione gate-source appropriato per il funzionamento è compreso tra -30V e +30V, per garantire una commutazione sicura ed efficace.

In che modo il basso valore di RDS(on) favorisce l'efficienza energetica?


La bassa resistenza aumenta l'efficienza energetica riducendo le perdite per conduzione, con conseguente diminuzione della generazione di calore durante il funzionamento.

Qual è la capacità di dissipazione di potenza massima durante l'uso?


La capacità massima di dissipazione di energia durante il funzionamento è di 278 W, consentendo prestazioni robuste in condizioni difficili.

C'è qualche considerazione particolare per l'utilizzo di questo componente in configurazioni parallele?


In caso di utilizzo in parallelo, è consigliabile utilizzare perline di ferrite sul gate o totem separati per ottimizzare le prestazioni e ridurre al minimo le oscillazioni.

Quali sono le pratiche di gestione termica da implementare?


Le pratiche di gestione termica efficaci comprendono un adeguato dissipamento del calore e il monitoraggio della temperatura durante il funzionamento per mantenere le prestazioni entro i limiti specificati.

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