MOSFET Infineon, canale N, 99 mΩ, 38 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 897-7406
Codice costruttore:: IPW60R099C6FKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 99 mΩ, 38 A, TO-247, Su foro

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Confronta

Codice RS:: 897-7406
Codice costruttore:: IPW60R099C6FKSA1
Costruttore:: Infineon

IPW60R099C6, CoolMOS C6 Power MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	38 A
Tensione massima drain source	650 V
Serie	CoolMOS™ C6
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	99 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	278 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	16.13mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	119 nC a 10 V
Larghezza	5.21mm
Altezza	21.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 99 mΩ, 38 A, TO-247, Su foro

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MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C6/C7

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