Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,099 O, 109 A, TO-247, Su foro

La famiglia di MOSFET a super giunzione Cool MOS P6 di Infineon è progettata per consentire una maggiore efficienza del sistema ed è al contempo facile da progettare. Cool MOS P6 colma il divario tra le tecnologie che si concentrano sull'offerta di prestazioni all'avanguardia e quelle che si concentrano maggiormente sulla facilità d'uso.

Carica di gate ridotta (Q g)
Più alto V il
Buona robustezza del diodo del corpo
R g ottimizzata integrata
Dv/dt migliorato da 50V/ns
Qualità MOS™ fresca con oltre 12 anni di esperienza nella produzione tecnologia super junction
Maggiore efficienza soprattutto in condizioni di carico leggero
Migliore efficienza nelle applicazioni di soft switching grazie allo spegnimento precedente
Adatto per topologie a commutazione dolce e dura
Equilibrio ottimizzato di efficienza e facilità d'uso e buona qualità controllabilità del comportamento di commutazione
Elevata robustezza e migliore efficienza
Qualità e affidabilità eccezionali