MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 109 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IPW60R099P6XKSA1
- Codice RS:
- 220-7457
- Codice costruttore:
- IPW60R099P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7457
- Codice costruttore:
- IPW60R099P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 109A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 99mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 109A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Altezza 21.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia di MOSFET a super giunzione Cool MOS P6 di Infineon è progettata per consentire una maggiore efficienza del sistema ed è al contempo facile da progettare. Cool MOS P6 colma il divario tra le tecnologie che si concentrano sull'offerta di prestazioni all'avanguardia e quelle che si concentrano maggiormente sulla facilità d'uso.
Carica di gate ridotta (Q g)
Più alto V il
Buona robustezza del diodo del corpo
R g ottimizzata integrata
Dv/dt migliorato da 50V/ns
Qualità MOS™ fresca con oltre 12 anni di esperienza nella produzione tecnologia super junction
Maggiore efficienza soprattutto in condizioni di carico leggero
Migliore efficienza nelle applicazioni di soft switching grazie allo spegnimento precedente
Adatto per topologie a commutazione dolce e dura
Equilibrio ottimizzato di efficienza e facilità d'uso e buona qualità controllabilità del comportamento di commutazione
Elevata robustezza e migliore efficienza
Qualità e affidabilità eccezionali
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