MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 109 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IPW60R099P6XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7457
Codice costruttore:
IPW60R099P6XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

109A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS P6

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.13mm

Larghezza

5.21 mm

Altezza

21.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET a super giunzione Cool MOS P6 di Infineon è progettata per consentire una maggiore efficienza del sistema ed è al contempo facile da progettare. Cool MOS P6 colma il divario tra le tecnologie che si concentrano sull'offerta di prestazioni all'avanguardia e quelle che si concentrano maggiormente sulla facilità d'uso.

Carica di gate ridotta (Q g)

Più alto V il

Buona robustezza del diodo del corpo

R g ottimizzata integrata

Dv/dt migliorato da 50V/ns

Qualità MOS™ fresca con oltre 12 anni di esperienza nella produzione tecnologia super junction

Maggiore efficienza soprattutto in condizioni di carico leggero

Migliore efficienza nelle applicazioni di soft switching grazie allo spegnimento precedente

Adatto per topologie a commutazione dolce e dura

Equilibrio ottimizzato di efficienza e facilità d'uso e buona qualità controllabilità del comportamento di commutazione

Elevata robustezza e migliore efficienza

Qualità e affidabilità eccezionali

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