MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 109 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 220-7456
- Codice costruttore:
- IPW60R099P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 30 unità*
146,52 €
(IVA esclusa)
178,74 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 210 unità in spedizione dal 15 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 4,884 € | 146,52 € |
| 60 - 120 | 4,639 € | 139,17 € |
| 150 + | 4,444 € | 133,32 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7456
- Codice costruttore:
- IPW60R099P6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 109A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 99mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 109A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Altezza 21.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia di MOSFET a super giunzione Cool MOS P6 di Infineon è progettata per consentire una maggiore efficienza del sistema ed è al contempo facile da progettare. Cool MOS P6 colma il divario tra le tecnologie che si concentrano sull'offerta di prestazioni all'avanguardia e quelle che si concentrano maggiormente sulla facilità d'uso.
Carica di gate ridotta (Q g)
Più alto V il
Buona robustezza del diodo del corpo
R g ottimizzata integrata
Dv/dt migliorato da 50V/ns
Qualità MOS™ fresca con oltre 12 anni di esperienza nella produzione tecnologia super junction
Maggiore efficienza soprattutto in condizioni di carico leggero
Migliore efficienza nelle applicazioni di soft switching grazie allo spegnimento precedente
Adatto per topologie a commutazione dolce e dura
Equilibrio ottimizzato di efficienza e facilità d'uso e buona qualità controllabilità del comportamento di commutazione
Elevata robustezza e migliore efficienza
Qualità e affidabilità eccezionali
Link consigliati
- MOSFET e diodo Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R099P6XKSA1
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R099CPFKSA1
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R099C6FKSA1
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW65R099CFD7AXKSA1
- MOSFET Infineon 17 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie