MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 99 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

171,55 €

(IVA esclusa)

209,30 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 150 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 503,431 €171,55 €
100 - 2003,156 €157,80 €
250 +2,985 €149,25 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
215-2538
Codice costruttore:
IPP60R099P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.95mm

Standard automobilistico

No

MOSFET della serie CoolMOS™ P7 di Infineon, 31 A di corrente continua di scarico, 600 V di tensione di uscita - IPP60R099P7XKSA1


Questo MOSFET è un componente di potenza ad alte prestazioni progettato specificamente per applicazioni ad alta tensione. Con una corrente di drenaggio continua massima di 31A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 600V, è alloggiato in un contenitore TO-220, che lo rende adatto al montaggio a foro passante. Le sue specifiche eccezionali lo rendono ideale per progetti elettronici avanzati in vari settori.

Caratteristiche e vantaggi


• Adatto per l'uso di commutazione sia dura che morbida

• Riduce in modo significativo le perdite di commutazione e di conduzione

• Eccellente diodo di corpo robusto per una commutazione dura

• Elevata protezione ESD superiore a 2kV per prestazioni affidabili

• La configurazione della modalità di potenziamento semplifica la progettazione dei circuiti

Applicazioni


• Ideale per gli stadi PFC (correzione del fattore di potenza)

• Utilizzato nella modulazione PWM (Pulse Width Modulation) a commutazione fissa

• Applicabile in stadi di commutazione risonanti per vari tipi di elettronica

• Adatto per adattatori e TV LCD/PDP

• Utilizzato in soluzioni di illuminazione, apparecchiature server e sistemi di telecomunicazione

Qual è il significato del basso valore di RDS(on) in questo dispositivo?


Il basso valore di RDS(on), pari a 0,099 ohm, riduce al minimo le perdite per conduzione, migliorando l'efficienza della conversione di potenza nelle applicazioni in cui la generazione di calore è un problema.

In che modo l'intervallo di temperatura di esercizio influisce sulle sue prestazioni?


Funzionando efficacemente tra -55°C e +150°C, garantisce affidabilità e stabilità anche in condizioni estreme, rendendolo adatto a diversi ambienti.

Può essere utilizzato in configurazioni parallele?


Sì, per le configurazioni in parallelo è generalmente consigliato l'uso di perline di ferrite sul gate o di totem separati per evitare oscillazioni e garantire un funzionamento stabile.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.