MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 99 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 215-2538
- Codice costruttore:
- IPP60R099P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 215-2538
- Codice costruttore:
- IPP60R099P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 31A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 99mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 117W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 31A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 117W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.57mm | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET della serie CoolMOS™ P7 di Infineon, 31 A di corrente continua di scarico, 600 V di tensione di uscita - IPP60R099P7XKSA1
Questo MOSFET è un componente di potenza ad alte prestazioni progettato specificamente per applicazioni ad alta tensione. Con una corrente di drenaggio continua massima di 31A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 600V, è alloggiato in un contenitore TO-220, che lo rende adatto al montaggio a foro passante. Le sue specifiche eccezionali lo rendono ideale per progetti elettronici avanzati in vari settori.
Caratteristiche e vantaggi
• Adatto per l'uso di commutazione sia dura che morbida
• Riduce in modo significativo le perdite di commutazione e di conduzione
• Eccellente diodo di corpo robusto per una commutazione dura
• Elevata protezione ESD superiore a 2kV per prestazioni affidabili
• La configurazione della modalità di potenziamento semplifica la progettazione dei circuiti
Applicazioni
• Ideale per gli stadi PFC (correzione del fattore di potenza)
• Utilizzato nella modulazione PWM (Pulse Width Modulation) a commutazione fissa
• Applicabile in stadi di commutazione risonanti per vari tipi di elettronica
• Adatto per adattatori e TV LCD/PDP
• Utilizzato in soluzioni di illuminazione, apparecchiature server e sistemi di telecomunicazione
Qual è il significato del basso valore di RDS(on) in questo dispositivo?
Il basso valore di RDS(on), pari a 0,099 ohm, riduce al minimo le perdite per conduzione, migliorando l'efficienza della conversione di potenza nelle applicazioni in cui la generazione di calore è un problema.
In che modo l'intervallo di temperatura di esercizio influisce sulle sue prestazioni?
Funzionando efficacemente tra -55°C e +150°C, garantisce affidabilità e stabilità anche in condizioni estreme, rendendolo adatto a diversi ambienti.
Può essere utilizzato in configurazioni parallele?
Sì, per le configurazioni in parallelo è generalmente consigliato l'uso di perline di ferrite sul gate o di totem separati per evitare oscillazioni e garantire un funzionamento stabile.
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