MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 99 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPA60R099P7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4875
Codice costruttore:
IPA60R099P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

IPA60R

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a supergiunzione Infineon 600V CoolMOS™ P7 è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate RG integrato

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

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