MOSFET ROHM, canale P, 0,018 Ω, 8 A, TSMT-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
223-6375
Codice costruttore:
RQ7G080ATTCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

8 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

TSMT-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

0,018 Ω

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET di potenza ROHM ha un tipo di contenitore TSMT8. È utilizzato principalmente per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni

Placcatura senza piombo, conformità RoHS

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