MOSFET Vishay, canale N, 0,029 Ω, 85 A, Super-247, Su foro
- Codice RS:
- 228-2885
- Codice costruttore:
- SiHS90N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2885
- Codice costruttore:
- SiHS90N65E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 85 A | |
| Tensione massima drain source | 700 V | |
| Serie | E Series | |
| Tipo di package | Super-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 0,029 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 85 A | ||
Tensione massima drain source 700 V | ||
Serie E Series | ||
Tipo di package Super-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 0,029 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Materiale del transistor Si | ||
Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
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