MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 10.8 mΩ Miglioramento, 51.4 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

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Codice RS:
228-2911
Codice costruttore:
SiR876BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

51.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

71.4W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 100 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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