MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 10.8 mΩ Miglioramento, 51.4 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR876BDP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

13,32 €

(IVA esclusa)

16,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 18.710 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,332 €13,32 €
100 - 2401,254 €12,54 €
250 - 4901,134 €11,34 €
500 - 9901,066 €10,66 €
1000 +1,00 €10,00 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2912
Codice costruttore:
SiR876BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

51.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

71.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 100 V.

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.