MOSFET Vishay, canale Tipo N 700 V, 52 mΩ Miglioramento, 62 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SQW61N65EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2979
Codice costruttore:
SQW61N65EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

E

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

229nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

625W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza serie e per uso automobilistico Vishay riduce le perdite di conduzione e commutazione.

MOSFET a diodo rapido per uso automobilistico

Tecnologia della serie e di grado

Trr, Qrr e IRRM ridotti

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Basse perdite di commutazione grazie alla riduzione del Qrr

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Qualifica AEC-Q101

Ultra basso

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