2 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 5.9 mΩ, 70 A 40 V, PQFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

3696,00 €

(IVA esclusa)

4508,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 8000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,924 €3.696,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
229-1739
Codice costruttore:
AUIRFN8459TR
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.2mm

Larghezza

5.85 mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza HEXFET a canale doppio Infineon in contenitore PQFN da 5 x 6 L consente l'effetto valanga ripetitivo fino a Tjmax. È dotato di un'elevata velocità di commutazione ed è senza piombo.

È conforme alla direttiva RoHS

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Ha una resistenza ultra bassa in stato attivo

Link consigliati