2 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 5.9 mΩ, 40 A 25 V, TISON-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin BSC0910NDIATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8977
Codice costruttore:
BSC0910NDIATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TISON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

0.87V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

6 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Altezza

1.1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

La gamma Infineon di prodotti OptiMOS è disponibile in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. I MOSFET OptiMOS a doppio canale N sono forniti senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21 e placcatura senza piombo; Conformità RoHS.

Diodo integrato monolitico simile a Schottky

Ottimizzato per convertitori buck ad alte prestazioni

Testato con effetto valanga al 100%

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