2 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 5.9 mΩ, 40 A 25 V, TISON-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin BSC0910NDIATMA1
- Codice RS:
- 214-8977
- Codice costruttore:
- BSC0910NDIATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
11,63 €
(IVA esclusa)
14,19 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 4960 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,163 € | 11,63 € |
| 50 - 90 | 1,105 € | 11,05 € |
| 100 - 240 | 1,081 € | 10,81 € |
| 250 - 490 | 1,012 € | 10,12 € |
| 500 + | 0,942 € | 9,42 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8977
- Codice costruttore:
- BSC0910NDIATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 25V | |
| Tipo di package | TISON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.87V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V | ||
Tipo di package TISON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.87V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
La gamma Infineon di prodotti OptiMOS è disponibile in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. I MOSFET OptiMOS a doppio canale N sono forniti senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21 e placcatura senza piombo; Conformità RoHS.
Diodo integrato monolitico simile a Schottky
Ottimizzato per convertitori buck ad alte prestazioni
Testato con effetto valanga al 100%
Link consigliati
- 2 MOSFET Infineon Duale 5.9 mΩ TISON-8 8 Pin
- 2 MOSFET Vishay Duale 5.9 mΩ SO-8 4 Pin
- 2 MOSFET Vishay Duale 5.9 mΩ SO-8 4 Pin SQJ912DEP-T1_GE3
- MOSFET Infineon 5.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 5.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 5.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie BSC039N06NSATMA1
- MOSFET Infineon 5.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IRF7842TRPBF
- MOSFET Infineon Duale 35 mΩ TDSON Miglioramento, 8 Pin