MOSFET Infineon, canale N, 0,0017 Ω, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 229-1822
Codice costruttore:: IPC100N04S51R7ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0017 Ω, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,456 €

(IVA esclusa)

0,556 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,456 €	2.280,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 229-1822
Codice costruttore:: IPC100N04S51R7ATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IPC100N04S51R7ATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	SuperSO8 5 x 6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0017 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.4V
Materiale del transistor	Silicone
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Infineon, canale N, 0,0017 Ω, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

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