MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie IPC100N04S5L1R9ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1825
Codice costruttore:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPC

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.25mm

Larghezza

5.58 mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza di livello logico a canale N Infineon è utilizzato per applicazioni automobilistiche. Testato con effetto valanga al 100% e certificato AEC Q101.

È conforme alla direttiva RoHS

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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