MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie IPC100N04S5L1R9ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1825
Codice costruttore:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPC

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

5.58mm

Lunghezza

5.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza di livello logico a canale N Infineon è utilizzato per applicazioni automobilistiche. Testato con effetto valanga al 100% e certificato AEC Q101.

È conforme alla direttiva RoHS

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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