MOSFET Infineon, canale N 40 V, 5.8 mΩ Miglioramento, 50 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie IPC50N04S55R8ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 15 unità*

11,79 €

(IVA esclusa)

14,39 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 17 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
15 - 600,786 €11,79 €
75 - 1350,747 €11,21 €
150 - 3600,714 €10,71 €
375 - 7350,684 €10,26 €
750 +0,637 €9,56 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1830
Codice costruttore:
IPC50N04S55R8ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO

Serie

IPC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.25mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

5.58mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie IPC, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 50 A - IPC50N04S55R8ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per funzioni di commutazione e controllo in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un intervallo di temperatura esteso adatto per ambienti difficili e fornisce un dispositivo di potenziamento a canale N a bassa resistenza in stato attivo per un'efficiente erogazione di corrente in assemblaggi compatti.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa Rds(on) di 5,8 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• I 40 V Vds consentono la commutazione di potenza a tensione moderata
• La corrente di drenaggio continua di 50 A supporta applicazioni ad alta corrente
• La dissipazione di potenza di 42 W consente una gestione prolungata del carico termico
• La carica di gate tipica di 13 nC garantisce una commutazione più rapida con una minore energia di azionamento
• La tolleranza massima del gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti

Applicazioni


• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per gli stadi di uscita dei convertitori CC-CC
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono un'elevata corrente continua
• Può essere utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente nelle unità di controllo
• Utilizzato per l'elettronica sottoposta a sollecitazioni termiche che funziona a temperature elevate

In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?


Funziona da -55 °C a 175 °C per adattarsi ad ampi ambienti termici.

Quale formato di imballaggio e montaggio utilizza?


Viene fornito in un contenitore SuperSO compatto progettato per il montaggio superficiale.

Quanti pin sono disponibili per l'integrazione su circuito stampato?


Il dispositivo utilizza una configurazione a 8 pin per il collegamento e i percorsi termici.

Quale tipo di conduzione del canale utilizza e come funziona?


Si tratta di un dispositivo a canale N che funziona in modalità di potenziamento e richiede un gate drive positivo.

Questo dispositivo è adatto per i requisiti di qualificazione automobilistica?


È conforme alla norma AEC‐Q101 per la selezione dei componenti nel settore automobilistico.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.