MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.8 mΩ Miglioramento, 50 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie IPC50N04S55R8ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1830
Codice costruttore:
IPC50N04S55R8ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPC

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.25mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

5.58 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

40 V, canale N, 0,9 mΩ max, MOSFET per uso automobilistico, PQNF, OptiMOSTM-6


Infineon presenta la sua più recente tecnologia MOS di potenza OptiMOSTM6 da 40 V nel contenitore senza cavo SS08 da 5 x 6 mm2 con il massimo livello di qualità e robustezza per le applicazioni automobilistiche. Un portafoglio di 16 prodotti (RDSon_max da 0,8 mΩ a 4,4 mΩ affronta l'intera gamma di applicazioni, dalle applicazioni a bassa potenza, ad esempio le applicazioni del corpo, alle applicazioni ad alta potenza, ad esempio gli EPS) che consente al cliente di trovare il prodotto più adatto alle proprie applicazioni.

Tutto ciò consente il miglior prodotto in classe FOM (RDSon x Qg) e le prestazioni sul mercato. Il nuovo prodotto SS08 offre una corrente nominale continua di 120 A, >Il 25% in più rispetto al DPAK standard a quasi la metà della sua area di ingombro.

Inoltre, la nuova generazione del contenitore SS08 consente prestazioni di commutazione e comportamento EMI superiori grazie all'induttanza del contenitore molto bassa (induttanza del contenitore ≈4x inferiore rispetto ai contenitori tradizionali, ad esempio DPAK, D2PAK) utilizzando la nuova tecnologia di intercontatto con clip in rame.

Riepilogo delle caratteristiche


•OptiMOSTM - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

•Canale N - Modalità di potenziamento - Livello normale

•Certificazione AEC Q101

•MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

•Temperatura d'esercizio 175 °C

•Prodotto verde (conforme a RoHS)

•100% Avalanche testato

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