MOSFET Infineon, canale N 80 V, 13.2 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50N08S413ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1833
Codice costruttore:
IPD50N08S413ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

72W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Infineon a canale N ha una temperatura d'esercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

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