MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 13.2 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50N08S413ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1833
Codice costruttore:
IPD50N08S413ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

72W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Infineon a canale N ha una temperatura d'esercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

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