2 MOSFET Infineon Livello normale a doppio canale N, canale Tipo N, 8.6 mΩ, 20 A 40 V, SuperSO, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2520,00 €

(IVA esclusa)

3075,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 15.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,504 €2.520,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
229-1840
Codice costruttore:
IPG20N04S409ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPG

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

54W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Livello normale a doppio canale N

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

5.9 mm

Lunghezza

5.15mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di livello normale a doppio canale N Infineon presenta le stesse prestazioni termiche ed elettriche di un DPAK con la stessa dimensione dello stampo. Il tampone esposto fornisce un'eccellente trasferimento termico. Si tratta di due canali n in un unico contenitore con 2 telai conduttori isolati.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Link consigliati