MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.4 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie IPZ40N04S55R4ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1852
Codice costruttore:
IPZ40N04S55R4ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPZ

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.3mm

Altezza

1.05mm

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di livello normale a canale N Infineon è utilizzato per applicazioni automobilistiche. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

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